CVDD 氣相沉積法鑽石

CVDD（Chemical Vapor Deposition Diamond）氣相沉積法鑽石，係運用化學氣相法來沉積製作鑽石薄膜，氣體主要包含甲烷、氫和氬氣，並以特定比例混合。常用的是1％甲烷及99％氫氣的混合氣體，而氬氣主要用來稀釋氣體及取代氫氣。甲烷易解離成碳氫自由基，做為碳原子的來源，進而沉積為鑽石薄膜。鑽石表面的碳原子含有懸浮鍵，在沉積鑽石薄膜的過程中，需藉助氫原子形成碳氫單鍵，來抑制鑽石表面的石墨化。

化學氣相沉積法的優點是可以沉積在各種不同的基板上，因此鑽石成品應用範圍較廣。另經由製程的參數調整，可生成不同粒度的鑽石晶粒，可區分為微米鑽石、奈米鑽石及超奈米鑽石等。

在短時間內成長連續薄膜，需預先播植奈米級的鑽石核種在基板上，加入大量氬氣，使得鑽石表面環境僅有微量氫原子供應，形成高密度而不同結晶方向的奈米鑽石薄膜，晶粒大小在100奈米以下。另外可藉由調配氬氣與氫氣的比例，能夠長出晶粒大小在 10 奈米以下的超奈米鑽石。